سامسونج الكترونيكس تبدأ إنتاج أول ذاكرةV-NAND ثلاثية الأبعاد بسعة 256 جيجابايت

 أعلنت سامسونج الكترونيكس، الرائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، عن بدأها بتصنيع أول وحدة ذاكرة V-NAND ثلاثية الأبعاد في هذه الصناعة بسعة 256 جيجابايت وهي مبنية على 48 طبقة من مصفوفات خلايا 3 بت متعددة المستويات (MLC) للاستخدام في الأقراص الصلبة الثابتة(SSDs) .

قال السيد يونج هان يون، رئيس أعمال الذاكرة في سامسونج الكترونيكس: "بدخول الجيل الثالث من وحدات الذاكرة V-NAND في الأسواق العالمية يمكننا الآن تزويد أفضل حلول الذاكرة المتقدمة بالإضافة إلى فعالية أفضل بناءً على الأداء المحسّن، الطاقة المستخدمة والتصنيع المحسن، وبالتالي تسريع نمو أسواق الأقراص الصلبة الثابتة ذات الأداء والكثافة العالية،" و أتبع حديثه قائلاً:" بالاستفادة الكاملة من ميزات سامسونج V-NAND الممتازة، سنقوم بتوسيع أعمالنا عالية المستوى في قطاعات المشاريع وسوق مراكز البيانات، بالإضافة إلى سوق المستهلك، مع الاستمرار في تعزيز تركيزنا الاستراتيجي في  مجال الأقراص الصلبة الثابتة."

إن ذاكرة سامسونج V-NAND  ثلاثية الأبعاد بسعة 256 جيجابايت الجديدة هي ضعف كثافة رقاقات ذاكرة NAND بسعة 128 جيجابايت. بالإضافة إلى تمكين 23 جيجا بايت (من ذاكرة ال 256 جيجابايت) من ذاكرة التخزين على قالب واحد، فإن الرقاقة الجديدة ستضاعف بسهولة من خطوط منتجات سامسونج للأقراص الصلبة الثابتة المتواجدة حالياّ وتوفر حلاّ مثالياً لمحركات الأقراص الصلبة متعددة التيرابايت.

طرحت سامسونج الجيل الثاني من رقائق  V-NAND (32 V-NAND طبقة، 3بت متعددة المستويات ) في آب 2014، وأطلقت الجيل الثالث من رقائق  V-NAND (48 V-NAND طبقة، 3بت متعددة المستويات ) خلال عام واحد فقط ، للاستمرار في قيادة عصر الذاكرة ثلاثية الأبعاد.

في رقاقة  V-NANDالجديدة، تستخدم كل خلية بنية CTF ثلاثية الأبعاد، حيث أن مصفوفات الخلية مكدّسة عامودياّ  لتشكيل كتلة من 48 طبقة متصلة بالكهرباء من خلال قناة 1.8 مليار ثقب متداخل في المصفوفات بفضل تقنية الحفر الخاصة. في المجموع، كل رقاقة تحتوي على أكثر من 85.3 مليار خلية. ويمكن لكل منها أن تخزن كل 3 بت من البيانات، بناتج 256 مليار بت من البيانات، وبعبارة أخرى، 256جيجابايت على شريحة لا تتعدى حجم طرف الإصبع.

تستهلك رقاقة V-NAND 3 بت  ذات ال 48 طبقة وبسعة 256 جيجابت طاقة أقل ب 30 في المائة مقارنةً برقاقة V-NAND 32 طبقة، 3 بت MLC بسعة 128 جيجابت عند تخزين نفس الكمية من البيانات. خلال الإنتاج، تحقق الشريحة الجديدة إنتاجية أكثر بما يقارب 40 في المائة  من سابقتها ذات ال 32 طبقة، وبذلك عززت كثيرا ً القدرة التنافسية لسوق SSD، بينما تستخدم أساساً في المعدات الموجودة.

تخطط سامسونج لإنتاج جيل ثالث من  V-NAND في الفترة المتبقية من عام 2015، لتمكين استخدام أكبر للأقراص الصلبة الثابتة على مستوى تيرابايت. في حين تقديم الأقراص الصلبة الثابتة ذات الكثافة اثنين تيرابايت وما فوق بالنسبة للمستهلكين الآن، تنوي سامسونج أيضا زيادة مبيعاتها من أجهزة ال SSD ذات الكثافة العالية لأسواق الشركات ومراكز تخزين البيانات مع واجهات PCIe NVMe و SAS الرائدة.