"توشيبا" تطور أول ذاكرة فلاش ناند في العالم متراصة وذات 16 سكة مزوّدة بتقنية "تي إس في"

أعلنت اليوم شركة "توشيبا" (المدرجة في بورصة طوكيو تحت الرمز: TOKYO:6502) عن تطوير أول ذاكرة فلاش "ناند" في العالم متراصة وذات 16 سكة (كحد أقصى) باستخدام تقنية المرور عبر وصلات السليكون ("تي إس في"). وسيتم عرض النموذج الأولي خلال قمة ومعرض ذاكرة الفلاش 2015 التي ستقام بين 11 و13 أغسطس في سانتا كلارا، الولايات المتحدة.

وكانت النماذج السابقة لذاكرات فلاش "ناند" المتراصة متصلة معاً من خلال رابط سلكي في حزمة. أما تقنية "تي إس في" فتستخدم عوضاً عن ذلك الأقطاب العمودية والوصلات للمرور عبر سكك السيليكون لتحقيق الاتصال. ويسمح هذا الأمر بإدخال وإخراج عالي السرعة للبيانات ويخفض استهلاك الطاقة. 

وتحقق تقنية "تي إس في" من "توشيبا" معدلات إدخال/إخراج بيانات تصل إلى أكثر 1 جيجابايت وهو معدل أعلى من أي ذاكرة فلاش "ناند" أخرى مع مورد فلطية منخفض: 1.8 فولط للدارات الأساسية و1.2 فولط لدارات الإدخال والإخراج وإلى خفض الطاقة بنسبة 50 في المائة في عمليات الكتابة وعمليات القراءة ونقل بيانات الإدخال/الإخراج.

وتقدم ذاكرة فلاش "ناند" الجديدة الحل المثالي للكمون المنخفض، وعرض النطاق الترددي العالي، وعدد مرتفع من عمليات الإدخال والإخراج في الثانية لكل واط في تطبيقات تخزين فلاش ومن ضمنها أقراص الحالة الصعبة فائقة التطور للشركات.

وتم تطوير جزء من هذه التكنولوجيا التطبيقية من قبل منظمة تطوير الطاقة الجديدة والتطوير الصناعي (’نيدو‘).